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脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:0
摘 要:利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况。结
  • 【题 名】脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究
  • 【作 者】程成 薛催岭 宋仁国
  • 【机 构】浙江工业大学应用物理系 浙江工业大学教育部机械制造与自动化重点实验室
  • 【刊 名】《光电子.激光》 2009年第2期,-页
  • 【关键词】脉冲激光沉积 Ge 纳米薄膜 微观结构 生长机理
  • 【文 摘】利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况。结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均晶粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大。当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,且薄膜表面变得比较均匀。此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大。在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析。
 
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  • (1) 脉冲激光沉积,Ge,纳米薄膜,微观结构,生长机理
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