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退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:2
摘 要:采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL mod
  • 【题 名】退火温度对镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的影响
  • 【作 者】张佳雯 高斐 晏春愉 孙杰 权乃承 刘伟 方晓玲
  • 【机 构】陕西师范大学物理与信息技术学院
  • 【刊 名】《人工晶体学报》 2009年第1期,-页
  • 【关键词】Ge纳米晶 磁控溅射 退火 SiO2膜 声子限域模型
  • 【文 摘】采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750℃。运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸。通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因。
 
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  • (1) Ge纳米晶,磁控溅射,退火,SiO2膜,声子限域模型
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