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单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:9
摘 要:分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、x射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌。载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片
  • 【题 名】单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备
  • 【作 者】姚剑[1] 蔡万华[2] 席珍强[1] 徐敏[1] 杜平凡[1] 王龙成[1]
  • 【机 构】[1]浙江理工大学材料工程中心,杭州310018 [2]中国机械研究科学院,北京101044
  • 【刊 名】《太阳能学报》 2009年第30卷第6期,784-787页
  • 【关键词】硅 太阳电池 铝背场 快速热处理
  • 【文 摘】分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、x射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌。载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片表面形成约7μm的背场,达到常规热处理20min的效果。x射线衍射分析和扫描电镜观察发现,快速热处理与常规热处理都能够在硅片背面形成Al3.21Si0.47相,但是快速热处理后形成了致密的铝硅合金,而常规热处理处理后表面依然呈颗粒分布。这些实验结果表明,快速热处理不仅促进铝在硅中的扩散从而能够在很短的时问形成铝背场,而且还能够同时促进铝硅合金化,形成良好的背电极。
 
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