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共面介质阻挡放电蒸发聚四氟乙烯沉积碳氟膜的研究

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:6
摘 要:首次将共面型介质阻挡放电(C―DBD)应用于蒸发聚四氟乙烯(PTFE)并沉积制备了碳氟膜,制备的碳氟膜尺寸为50~100nm,其表面均方根(RMS)粗糙度为15.55nm(测量面积为10μm×10μm
  • 【题 名】共面介质阻挡放电蒸发聚四氟乙烯沉积碳氟膜的研究
  • 【作 者】王惠[1,2] 吴庆浩[2] 朱爱民[2]
  • 【机 构】[1]大连教育学院,辽宁大连116021 [2]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024
  • 【刊 名】《东北师大学报:自然科学版》 2009年第2期,106-109页
  • 【关键词】介质阻挡放电 蒸发 碳氟膜 聚四氟乙烯
  • 【文 摘】首次将共面型介质阻挡放电(C―DBD)应用于蒸发聚四氟乙烯(PTFE)并沉积制备了碳氟膜,制备的碳氟膜尺寸为50~100nm,其表面均方根(RMS)粗糙度为15.55nm(测量面积为10μm×10μm)。发射光谱表明,C―DBD产生了能量较高的电子激发态Ar原子(12.9~13.5eV)。该方法装置简单,在常温常压下操作,薄膜沉积速率快,而且环境友好.
 
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