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Resistive Switching Behavior in Amorphous Aluminum Oxide Film Grown by Chemical Vapor Deposition

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-27  浏览次数:1
  • 【题 名】Resistive Switching Behavior in Amorphous Aluminum Oxide Film Grown by Chemical Vapor Deposition
  • 【作 者】全晓彤 朱慧超 蔡海涛 张家琦 王晓娇
  • 【机 构】School of Electronic Science and Technology Dalian University of Technology Dalian 116024
  • 【刊 名】《中国物理快报:英文版》2014年 第7期 197-200页 共4页
  • 【关键词】化学气相沉积法 氧化铝膜 开关特性 电阻 随机存取存储器 光电子光谱 生长 非晶
  • 【文 摘】
 
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  • (1) 化学气相沉积法,氧化铝膜,开关特性,电阻,随机存取存储器,光电子光谱,生长,非晶
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