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Si4+掺杂对Gd1.6 WO6:Eu^3+0.4支荧光粉发光特性的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:5
摘 要:采用高温固相法合成了不同Si^4+掺杂比例的Gd1.6(W1-xSix)O6:Eu^3+0.4荧光粉,分析了Si^4+。掺杂对Gd1.6 WO6:Eu^3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si^4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射
  • 【题 名】Si4+掺杂对Gd1.6 WO6:Eu^3+0.4支荧光粉发光特性的影响
  • 【作 者】耿耀辉 徐生艳 张颖涛 袁虎臣 李岚
  • 【机 构】天津理工大学理学院 天津300384 天津理工大学材料物理研究所天津300384
  • 【刊 名】《光电子.激光》2014年 第3期 496-500页 共5页
  • 【关键词】GDL 6W06 Eu8^荧光粉 晶体对称性 发光强度
  • 【文 摘】采用高温固相法合成了不同Si^4+掺杂比例的Gd1.6(W1-xSix)O6:Eu^3+0.4荧光粉,分析了Si^4+。掺杂对Gd1.6 WO6:Eu^3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si^4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si^4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu^3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si^4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si^4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。
 
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  • (1) GDL,6W06,Eu8^荧光粉,晶体对称性,发光强度
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