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不均匀磁场和垂直电场作用下单层硅烯中的朗道能级

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:7
摘 要:从量子力学的基本概念出发,借助特殊函数方程理论,研究了在不均匀磁场和垂直电场作用下单层硅烯中的朗道能谱.结果表明外电场调制的自旋轨道耦合作用使得该体系中的朗道能级结构表现出一些新奇的特征.
  • 【题 名】不均匀磁场和垂直电场作用下单层硅烯中的朗道能级
  • 【作 者】夏瑜 王大理
  • 【机 构】安徽师范大学物理与电子信息学院 安徽芜湖241000
  • 【刊 名】《大学物理》2015年 第11期 6-7页 共3页
  • 【关键词】硅烯 不均匀磁场 垂直电场 朗道能级
  • 【文 摘】从量子力学的基本概念出发,借助特殊函数方程理论,研究了在不均匀磁场和垂直电场作用下单层硅烯中的朗道能谱.结果表明外电场调制的自旋轨道耦合作用使得该体系中的朗道能级结构表现出一些新奇的特征.
 
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