当前位置: 首页 » 资料 » 健康论文 » Development trends of GaN-based wide bandgap semiconductors: from solid state lighting to power elec

Development trends of GaN-based wide bandgap semiconductors: from solid state lighting to power elec

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-07  浏览次数:1
  • 【题 名】Development trends of GaN-based wide bandgap semiconductors: from solid state lighting to power elec
  • 【作 者】Bo SHEN
  • 【机 构】Research Center for Wide Bandgap Semiconductors and State Key Laboratory of Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University Beijing 100871 China
  • 【刊 名】《中国光电子学前沿:英文版》2015年 第4期 456-460页 共5页
  • 【关键词】电力电子器件 发展趋势 照明 固态
  • 【文 摘】
 
本文导航:
  • (1) 电力电子器件,发展趋势,照明,固态
  • 下一篇:鳖甲
  • 上一篇:暂无
 
[ 资料搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 

 
推荐图文
推荐资料
热门关注