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Simulation study on the active layer thickness and the interface of a-IGZO-TFT with double active l

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-07  浏览次数:5
摘 要:在这份报纸, SILVACO 的地图集 2D 设备模拟器被用于转换蹒跚的设备模拟与两倍活跃的层把非结晶的铟镓锌氧化物用作活跃的层(a-IGZO-TFT ) 的薄电影晶体管,非结晶的材料基于状态(DOS ) 的密度当模特儿。每活跃的层的厚度变
  • 【题 名】Simulation study on the active layer thickness and the interface of a-IGZO-TFT with double active l
  • 【作 者】Xiaoyue LI Sheng YIN Dong XU
  • 【机 构】School of Optical and Electronic Information Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China
  • 【刊 名】《中国光电子学前沿:英文版》2015年 第4期 445-450页 共6页
  • 【关键词】有源层厚度 器件模拟 接口 仿真 性能变化 薄膜晶体管 阿特拉斯 材料模型
  • 【文 摘】在这份报纸, SILVACO 的地图集 2D 设备模拟器被用于转换蹒跚的设备模拟与两倍活跃的层把非结晶的铟镓锌氧化物用作活跃的层(a-IGZO-TFT ) 的薄电影晶体管,非结晶的材料基于状态(DOS ) 的密度当模特儿。每活跃的层的厚度变化导致的设备性能的变化被学习,并且在两倍活跃的层之间的接口被分析。当接口在隧道的边附近时,最好的表演被发现,由优化各活跃的层的厚度,阀值电压的高效设备( V th )= 0.89 V ,次于最低限度的秋千( SS )= 0.27 ,吗开/关电流比率(我 在 /I离开)= 6.98 潧敶湲牯?
 
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  • (1) 有源层厚度,器件模拟,接口,仿真,性能变化,薄膜晶体管,阿特拉斯,材料模型
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