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单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-21  浏览次数:9
摘 要:不同注量200keVXe+注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加.缺陷簇的密度增大,在1×10^15~1×10^16cm^-^2Xe+注量.缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;
  • 【题 名】单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析
  • 【作 者】向霞 祖小涛 吴继红 朱莎 王鲁闵
  • 【机 构】电子科技大学应用物理系,四川成都610054 美国密西根大学核工程与放射科学系,安娜堡MI48109
  • 【刊 名】强激光与粒子束, 2004(1): 95-97
  • 【关键词】单晶YSZ Xe+辐照 透射电子显微镜 辐照缺陷
  • 【文 摘】不同注量200keVXe+注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加.缺陷簇的密度增大,在1×10^15~1×10^16cm^-^2Xe+注量.缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×10^17cm^-^2,缺陷簇密度的增加变得缓慢.并且有直径为2~4nm的Xe气泡析出。选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变。在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出。
 
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