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热退火对超冶金级硅中缺陷的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:11
摘 要:对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序
  • 【题 名】热退火对超冶金级硅中缺陷的影响
  • 【作 者】吴洪军 马文会 陈秀华 蒋咏 梅向阳 张聪 吴兴惠
  • 【机 构】昆明理工大学真空冶金国家工程实验室 昆明650093 云南大学物理科学与技术学院 昆明650091 浙江人学硅材料国家重点实验室 杭州310027
  • 【刊 名】《中国有色金属学报:英文版》2011年 第6期 1340-1347页 共8页
  • 【关键词】超冶金级硅 退火 位错密度 晶界
  • 【文 摘】对超冶金级硅进行不同条件下的热退火实验研究。利用金相显微镜、电子背散射衍射和X射线衍射仪分别对退火前后多晶硅不同部位的位错、晶界和择优生长取向进行表征。结果表明:退火前后多晶硅中的位错密度大小分布顺序始终是中部〈底部〈顶部。随着退火温度的升高,位错密度逐渐减小;小角度晶界不断减少,直至消失;CSL晶界比例先增加后减小。在1200℃下退火3h后,多晶硅中的孪晶晶界∑3达到28%;多晶硅上、中、下部的晶粒分别获得最佳择优生长取向,这将对后续硅材料的加工及多晶硅太阳能电池转化效率的提高起到促进作用。
 
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