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铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:6
摘 要:采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均
  • 【题 名】铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)
  • 【作 者】李晓强 杨德仁 余学功 阙端麟
  • 【机 构】浙江大学材料科学与工程学系 硅材料国家重点实验室 杭州310027
  • 【刊 名】《中国有色金属学报:英文版》2011年 第3期 691-696页 共6页
  • 【关键词】多晶硅 铜杂质 磷吸杂 缺陷 载流子寿命
  • 【文 摘】采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均质形核形成沉淀,而在高缺陷密度区域铜杂质通常会聚集在缺陷处异质形核而沉淀下来。当铜沾污量较高时,由于在硅基体中的肖特基二极管效应,铜沉淀会令多晶硅中的载流子寿命明显缩短。在900℃下进行快速磷吸杂处理后,这两种区域中的铜杂质都不能得到有效去除。
 
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  • (1) 多晶硅,铜杂质,磷吸杂,缺陷,载流子寿命
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