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Cu/Ti电子束叠加焊接对金属间化合物层的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-05-08  浏览次数:4
摘 要:对QCr0.8/TC4进行电子束焊接,研究焊缝中金属间化合物层(即IMC-layer)对接头力学性能的不利影响,提出利用电子束二次叠加焊接方式来改善接头性能的思路。结果表明,对中焊时在铜侧熔合线处形成
  • 【题 名】Cu/Ti电子束叠加焊接对金属间化合物层的影响
  • 【作 者】陈国庆 张秉刚 刘伟 冯吉才
  • 【机 构】哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室 哈尔滨150001
  • 【刊 名】《中国有色金属学报:英文版》2012年 第10期 2416-2420页 共5页
  • 【关键词】Cu合金 Ti合金 电子束叠加焊接 金属间化合物层
  • 【文 摘】对QCr0.8/TC4进行电子束焊接,研究焊缝中金属间化合物层(即IMC-layer)对接头力学性能的不利影响,提出利用电子束二次叠加焊接方式来改善接头性能的思路。结果表明,对中焊时在铜侧熔合线处形成的金属间化合物层,偏铜侧焊接时在钛侧熔合线处形成的金属间化合物层,是接头中的薄弱环节。利用电子束叠加焊接方式,须合理设计焊接顺序。先进行对中焊,再利用偏铜侧焊接,可将第一道焊缝形成的金属间化合物层破碎重熔,形成组织较好的化合物层,改善接头的力学性能。接头的抗拉强度为276.0MPa,达到了母材强度的76.7%。
 
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  • (1) Cu合金,Ti合金,电子束叠加焊接,金属间化合物层
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