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Study of the lateral distribution of neodymium ions implanted in silicon

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:4
摘 要:Study of the lateral distribution of neodymium ions implanted in silicon
  • 【题 名】Study of the lateral distribution of neodymium ions implanted in silicon
  • 【作 者】Qin Xi-Feng Li Hong-Zhen Li Shuang Liang Yi Wang Feng-Xiang Fu Gang Ji Yan-Ju
  • 【机 构】College of Science Shandong Jianzhu University Jinan China College of Physics and Engineering Qufu Normal University Qufu China
  • 【刊 名】《中国物理B:英文版》2011年 第8期 293-296页 共4页
  • 【关键词】离子植入 横向分布 钕离子 硅单晶 卢瑟福背散射 器件尺寸 电子 硅样品
  • 【文 摘】Study of the lateral distribution of neodymium ions implanted in silicon
 
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  • (1) 离子植入,横向分布,钕离子,硅单晶,卢瑟福背散射,器件尺寸,电子,硅样品
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