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Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer d

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:1
摘 要:Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer d
  • 【题 名】Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer deposition
  • 【作 者】樊继斌 刘红侠 马飞 卓青青 郝跃
  • 【机 构】School of Microelectronics Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices Xidian University Xi ' an China
  • 【刊 名】《中国物理B:英文版》2013年 第2期 487-491页 共5页
  • 【关键词】原子层沉积 氧化剂 薄膜 热退火效应 三甲基铝 电气特性 物理特性 介电常数
  • 【文 摘】Influences of different oxidants on the characteristics of HfAlO_x films deposited by atomic layer deposition
 
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  • (1) 原子层沉积,氧化剂,薄膜,热退火效应,三甲基铝,电气特性,物理特性,介电常数
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