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中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:26
摘 要:本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅
  • 【题 名】中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)
  • 【作 者】王春 牟宗信 刘冰冰 臧海荣 牟晓东
  • 【机 构】大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 辽宁大连116024
  • 【刊 名】《材料科学与工程学报》2011年 第3期 331-336页 共7页
  • 【关键词】氮化硅薄膜 折射率 磁控溅射 红外光谱
  • 【文 摘】本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的微观结构、表面形貌、沉积速率、折射率的影响。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态氮化硅。随着氮气流量比率的增加,Si-N键红外光谱吸收带向低波数漂移,薄膜的沉积速率降低,表面结构更为光滑致密,氮化硅薄膜的折射率降低。薄膜的硬度和杨氏模量分别达到22和220GPa左右。
 
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  • (1) 氮化硅薄膜,折射率,磁控溅射,红外光谱
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