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脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核气压阈值及动力学研究

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:3
摘 要:采用脉冲激光烧蚀技术,在室温、低压Ar气条件下通过改变气体压强及靶与衬底间距,对纳米Si晶粒成核的气压阈值进行了研究.根据扫描电子显微镜图像、拉曼散射谱和X射线衍射谱对制备样品的表征结果,确定了在室温
  • 【题 名】脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核气压阈值及动力学研究
  • 【作 者】邓泽超 罗青山 丁学成 褚立志 梁伟华 陈金忠 傅广生 王英龙
  • 【机 构】河北大学物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室 保定071002
  • 【刊 名】《物理学报》2011年 第12期 433-437页 共5页
  • 【关键词】脉冲激光烧蚀 成核 气压阈值 Monte Carlo数值模拟
  • 【文 摘】采用脉冲激光烧蚀技术,在室温、低压Ar气条件下通过改变气体压强及靶与衬底间距,对纳米Si晶粒成核的气压阈值进行了研究.根据扫描电子显微镜图像、拉曼散射谱和X射线衍射谱对制备样品的表征结果,确定了在室温、激光能量密度为4J/cm2、靶与衬底间距为3cm条件下形成纳米Si晶粒的阈值气压为0.6Pa.结合流体力学模型和成核分区模型,对纳米晶粒的成核动力学过程进行了分析.通过Monte Carlo数值模拟,表明在气相成核过程中,烧蚀Si原子的温度和过饱和密度共同影响着纳米晶粒的成核.
 
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