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纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:3
摘 要:采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4
  • 【题 名】纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q
  • 【作 者】王燕飞 王加贤 张培 杨先才
  • 【机 构】华侨大学信息科学与工程学院 福建泉州362021
  • 【刊 名】《华侨大学学报:自然科学版》2011年 第4期 385-388页 共4页
  • 【关键词】激光技术 Nd∶YVO4激光器 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜 被动调Q 可饱和吸收体
  • 【文 摘】采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.
 
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  • (1) 激光技术,Nd∶YVO4激光器,纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜,被动调Q,可饱和吸收体
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