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芴基共聚物共混与InGaN基发光二极管杂合的白光发射

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:6
摘 要:利用红光共聚物(PF0-DBT15)和绿光共聚物共混膜作InGaN基蓝光芯片的荧光下转换材料,PFO-DBT15和PFO-BT35是9,9-二辛基芴(DOF)分别与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二
  • 【题 名】芴基共聚物共混与InGaN基发光二极管杂合的白光发射
  • 【作 者】章勇 侯琼 郑树文 李述体 范广涵
  • 【机 构】华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州510631 华南师范大学化学与环境学院 广东广州510631
  • 【刊 名】《华南师范大学学报:自然科学版》2009年 第4期 57-60页 共4页
  • 【关键词】InGaN 共轭聚合物 白光
  • 【文 摘】利用红光共聚物(PF0-DBT15)和绿光共聚物共混膜作InGaN基蓝光芯片的荧光下转换材料,PFO-DBT15和PFO-BT35是9,9-二辛基芴(DOF)分别与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)和2,1,3-苯并噻唑(BT)无规共聚的芴基共聚物,通过调节PFO-DBT15与PFO-BT35共混比例实现了有效的共轭聚合物/InGaN发光二极管杂合的白光发射.这种杂合器件在20mA电流驱动下相关的色坐标、色温和色散指数分别是(0.34,0.32),6798K和85.
 
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