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基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:5
摘 要:基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入
  • 【题 名】基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响
  • 【作 者】吴利锋 唐吉玉 文于华 汤莉莉 刘超
  • 【机 构】华南师范大学物理与电信工程学院 广东广州510631
  • 【刊 名】《华南师范大学学报:自然科学版》2009年 第1期 49-51页 共4页
  • 【关键词】重掺杂 禁带变窄 Jain-Roulston模型
  • 【文 摘】基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.
 
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  • (1) 重掺杂,禁带变窄,Jain-Roulston模型
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