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铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:6
摘 要:系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑
  • 【题 名】铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展
  • 【作 者】陆旭兵 李明 刘俊明
  • 【机 构】华南师范大学华南先进光电子研究院 广东广州510006
  • 【刊 名】《华南师范大学学报:自然科学版》2012年 第3期 1-11页 共11页
  • 【关键词】非易失性存储器 铁电场效应晶体管 闪存 有机半导体 氧化物半导体
  • 【文 摘】系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET的未来研究作出展望.
 
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  • (1) 非易失性存储器,铁电场效应晶体管,闪存,有机半导体,氧化物半导体
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