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垒层p型掺杂量的分布对InGaN基发光二极管性能的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:3
摘 要:采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优
  • 【题 名】垒层p型掺杂量的分布对InGaN基发光二极管性能的影响
  • 【作 者】刘超 李述体 仵乐娟 王海龙
  • 【机 构】华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州510631
  • 【刊 名】《华南师范大学学报:自然科学版》2013年 第2期 60-63页 共4页
  • 【关键词】发光二极管 GaN InGaN 多量子阱
  • 【文 摘】采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优化了垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.
 
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