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硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:2
摘 要:基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SW
  • 【题 名】硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究
  • 【作 者】周宝艳 邵庆益
  • 【机 构】华南师范大学物理与电信工程学院 广东广州510631 广东省高等学校量子信息技术重点实验室 广东广州510631
  • 【刊 名】《华南师范大学学报:自然科学版》2013年 第1期 51-55页 共5页
  • 【关键词】B掺杂 单壁碳纳米管 电子结构 第一性原理
  • 【文 摘】基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2)SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的,掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为N型半导体.
 
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  • (1) B掺杂,单壁碳纳米管,电子结构,第一性原理
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