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nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:11
摘 要:在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点
  • 【题 名】nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率
  • 【作 者】刘明强 郭震宁 杨小儒
  • 【机 构】华侨大学信息科学与工程学院 福建泉州362021
  • 【刊 名】《华侨大学学报:自然科学版》2009年 第2期 143-146页 共4页
  • 【关键词】量子点 无限深势阱 三阶极化率 nc-Si/SiO2
  • 【文 摘】在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系.结果表明,在强受限中,三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系.随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小,三阶极化率都有不同程度的增强.
 
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  • (1) 量子点,无限深势阱,三阶极化率,nc-Si/SiO2
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