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SiGe HBT的热载流子效应评价

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:15
摘 要:电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGeHBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试
  • 【题 名】SiGe HBT的热载流子效应评价
  • 【作 者】林晓玲 孔学东 恩云飞 章晓文 姚若河
  • 【机 构】华南理工大学电子与信息学院 广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东广州510610
  • 【刊 名】《华南理工大学学报:自然科学版》2009年 第5期 23-26页 共5页
  • 【关键词】硅锗异质结晶体管 电流加速 可靠性 热载流子效应
  • 【文 摘】电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGeHBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGeHBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGeHBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGeHBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGeHBT的长期可靠性进行有效预测.
 
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  • (1) 硅锗异质结晶体管,电流加速,可靠性,热载流子效应
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