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多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

放大字体  缩小字体 更新日期:2018-11-26  浏览次数:4
摘 要:为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适
  • 【题 名】多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型
  • 【作 者】黄君凯 郑学仁 邓婉玲
  • 【机 构】华南理工大学电子与信息学院 广东广州510640 暨南大学信息科学技术学院 广东广州510630
  • 【刊 名】《华南理工大学学报:自然科学版》2010年 第10期 24-29页 共7页
  • 【关键词】多晶硅 薄膜晶体管 泄漏电流 激活能 低频噪声模型
  • 【文 摘】为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106~5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.
 
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  • (1) 多晶硅,薄膜晶体管,泄漏电流,激活能,低频噪声模型
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