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改性3-氨丙基三甲氧基硅烷对聚酰亚胺/二氧化硅复合薄膜性能的影响

放大字体  缩小字体 更新日期:2016-02-07  浏览次数:1
摘 要:用正硅酸乙酯(TEOS)和改性3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMOS)作为无机前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜。采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR),扫描电子显
  • 【题 名】改性3-氨丙基三甲氧基硅烷对聚酰亚胺/二氧化硅复合薄膜性能的影响
  • 【作 者】王晓琳 周宏 范勇 李德明
  • 【机 构】哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨150040
  • 【刊 名】《绝缘材料》 2009年第2期,42-45页
  • 【关键词】聚酰亚胺薄膜 二氧化硅 APTMOS
  • 【文 摘】用正硅酸乙酯(TEOS)和改性3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMOS)作为无机前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜。采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR),扫描电子显微镜(SEM)和热重分析(TGA)对PI/SiO2纳米复合薄膜进行了表征,讨论了改性APTMOS的加入对PI/SiO2复合薄膜结构和耐电晕性能的影响。结果表明,改性APTMOS的加入明显降低了SiO2粒子的团聚,并提高了PI/SiO2纳米复合薄膜的耐电晕性能。
 
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